收藏本站
Si4435DY
SO-8 Package Details
D
-B-
5
DIM
A
INCHES
MIN MAX
.0532 .0688
MILLIMETERS
MIN MAX
1.35 1.75
5
E
8
7
6
5
H
A1
B
.0040
.014
.0098
.018
0.10
0.36
0.25
0.46
-A-
1
2
3
4
0.25 (.010)
M
A M
C
.0075
.0098
0.19
0.25
D
E
.189
.150
.196
.157
4.80
3.81
4.98
3.99
e
6X
e1
A
θ
K x 45°
e
e1
H
.050 BASIC
.025 BASIC
.2284 .2440
1.27 BASIC
0.635 BASIC
5.80 6.20
-C-
B 8X
A1
0.10 (.004)
L
8X
6
C
8X
K
L
.011
0.16
.019
.050
0.28
0.41
0.48
1.27
0.25 (.010)
M C A S B S
θ
0° 8° 0°
RECOMMENDED FOOTPRINT
8°
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M-1982.
2. CONTROLLING DIMENSION : INCH.
3. DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS (INCHES).
0.72 (.028 )
8X
4. OUTLINE CONFORMS TO JEDEC OUTLINE MS-012AA.
5 DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLD PROTRUSIONS
MOLD PROTRUSIONS NOT TO EXCEED 0.25 (.006).
DIMENSIONS IS THE LENGTH OF LEAD FOR SOLDERING TO A SUBSTRATE..
6
6.46 ( .255 )
1.78 (.070)
8X
1.27 ( .050 )
3X
SO-8 Part Marking
www.irf.com
7
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI4448DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC
SI4455-B1A-FM IC EZRADIO FM TRANSCEIVER SI4355
SI4462DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC
SI4463-915-DK KIT DEV WIRELESS SI4463 915MHZ
SI4465ADY-T1-GE3 MOSFET P-CH 8V 13.7A 8SOIC
SI4466DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC
SI4470EY-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 60V 8-SOIC
SI4472DY-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 150V 8-SOIC
相关代理商/技术参数
SI4435DY 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR MOSFET 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR, MOSFET
SI4435DY 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO
SI4435DY_Q 功能描述:MOSFET 30V SinGLE P-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4435DYPBF 功能描述:MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 20mOhms 40nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4435DYPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET ((NW))
SI4435DY-REVA 功能描述:MOSFET 30V 8A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4435DY-REVA-E3 功能描述:MOSFET 30V 8A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4435DY-T1 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET Transistor, P-Channel, SO